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AP4413M 参数 Datasheet PDF下载

AP4413M图片预览
型号: AP4413M
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内容描述: P沟道增强模式 [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 107 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP4413M
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
低导通电阻
快速开关特性
D
D
D
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
G
-20V
30mΩ
-7.8A
I
D
SO-8
S
S
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本效益。
在SO -8封装普遍首选的所有商业工业
表面安装的应用和适合于低电压应用,例如
作为DC / DC变换器。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-20
±20
-7.8
-6.2
-30
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
50
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200413042