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AP4418GJ 参数 Datasheet PDF下载

AP4418GJ图片预览
型号: AP4418GJ
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 61 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP4418GH/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
低栅极电荷
简单的驱动要求
快速开关特性
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
35V
20mΩ
33A
描述
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用,并适用于低电压
应用,如DC / DC转换器。通孔版
( AP4418GJ )可用于小尺寸应用。
克ð
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
35
±20
33
21
100
34.7
0.28
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
3.6
110
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更,恕不另行通知
200511051-1/4