AP4435GM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP4435GM
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	5 页 / 202 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP4435GM

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

低导通电阻

▼

快速开关特性

SO-8

P沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-30V

20mΩ

-9A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在SO -8封装，广泛首选的所有商业，工业

表面贴装应用，并适用于低电压应用

诸如DC / DC转换器。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

- 30

+ 20

-9

-7.3

-50

2.5

0.02

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

最大热阻，结到环境

价值

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200811216

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