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AP4501GD 参数 Datasheet PDF下载

AP4501GD图片预览
型号: AP4501GD
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 85 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP4501GD
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
低栅电荷
开关速度快
PDIP - 8封装
符合RoHS
PDIP-8
S1
S2
G1
D2
D1
D1
D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
30V
28mΩ
7A
-30V
50mΩ
-5.3A
G2
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,超低导通电阻和
成本效益。
G1
S1
D1
D2
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
30
±20
7
5.8
20
2
0.016
-55到150
-55到150
P沟道
-30
±20
-5.3
-4.7
-20
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200622051-1/7