AP4501SSD 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP4501SSD
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内容描述：	n，其中肖特基和P沟道增强型功率MOSFET [N with Schottky AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 105 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP4501SSD

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

低导通电阻

▼

快速开关

n，其中肖特基和P沟道

增强型功率MOSFET

N-CH BV

DSS

DS （ ON）

30V

36mΩ

5.3A

-30V

60mΩ

-4.2A

PDIP-8

S1/A

P- CH BV

DSS

DS （ ON）

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本

有效性。

AP4501SSD包括N， P沟道增强模式

功率MOSFET和肖特基二极管。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

N沟道

±20

5.3

4.3

0.016

-55到150

-55至125

P沟道

-30

±20

-4.2

-3.5

-30

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj - AMB

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200221031

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