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AP4503AGM 参数 Datasheet PDF下载

AP4503AGM图片预览
型号: AP4503AGM
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 225 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP4503AGM
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
D2
D2
D1
D1
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N沟道
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
30V
28mΩ
6.9A
-30V
36mΩ
-6.3A
低导通电阻
快速开关性能
G2
S2
SO-8
S1
G1
P沟道
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师
快速切换的最佳组合,
坚固耐用的设备的设计,
低导通电阻和成本效益。
D1
D2
在SO -8封装,广泛首选商业,工业
表面贴装应用,并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
3
等级
N沟道
30
±20
6.9
5.5
20
2
-55到150
-55到150
P沟道
-30
±20
-6.3
-5
-20
单位
V
V
A
A
A
W
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
201126071