AP4506GEM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP4506GEM
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内容描述：	N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 119 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP4506GEM

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

低导通电阻

▼

快速开关性能

N型和P沟道增强

MODE POWER MOSFET

N-CH BV

DSS

DS （ ON）

30V

30mΩ

6.4A

-30V

40mΩ

-6A

P- CH BV

DSS

DS （ ON）

SO-8

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本

有效性。

在SO -8封装，广泛首选商业，工业

表面贴装应用，并适用于低电压应用

诸如DC / DC转换器。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

等级

N沟道

+20

6.4

5.1

2.0

-55到150

P沟道

-30

+20

-6.0

-4.8

-30

单位

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

最大热阻，结到环境

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200902103

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