AP4511GED 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP4511GED
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内容描述：	N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 120 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP4511GED

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

N型和P沟道增强

MODE POWER MOSFET

N-CH BV

DSS

DS （ ON）

40V

28mΩ

-40V

42mΩ

-5A

▼

低栅极电荷

▼

快速开关性能

▼

符合RoHS

PDIP-8

P- CH BV

DSS

DS （ ON）

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本

有效性。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

N沟道

±16

6.0

5.0

2.0

0.016

-55到150

P沟道

-40

±16

-5.0

-4.0

-30

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

价值

马克斯。

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200725064-1/7

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