AP4511GH 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP4511GH
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内容描述：	N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	7 页 / 98 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP4511GH

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

良好的散热性能

▼

快速开关性能

D1/D2

N型和P沟道增强

MODE POWER MOSFET

N-CH BV

DSS

DS （ ON）

P- CH BV

DSS

DS （ ON）

35V

30mΩ

15A

-35V

48mΩ

-12A

描述

TO-252-4L

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本

有效性。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

±20

10.4

0.083

-55到150

等级

N沟道

P沟道

-35

±20

-12

-7

-50

W/℃

℃

单位

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

价值

马克斯。

110

单位

℃/W

热阻结到环境

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200222053

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