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AP4511GD 参数 Datasheet PDF下载

AP4511GD图片预览
型号: AP4511GD
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 155 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP4511GD
N沟道
f=1.0MHz
16
1000
V
GS
,门源电压( V)
I
D
=7A
V
DS
=28V
12
C
国际空间站
C( pF)的
C
OSS
100
8
C
RSS
4
0
0
5
10
15
20
25
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJA
)
占空比系数= 0.5
0.2
10
100us
1ms
0.1
0.1
I
D
(A)
0.05
1
0.02
10ms
100ms
0.1
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 90℃ / W
o
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
1s
DC
0.001
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
30
V
DS
=5V
I
D
,漏电流( A)
V
G
Q
G
20
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
4.5V
Q
GS
Q
GD
10
收费
0
0
2
4
6
Q
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
5