AP4513GD 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP4513GD
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内容描述：	N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 84 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP4513GD

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

开关速度快

▼

PDIP - 8封装

▼

符合RoHS

PDIP-8

N型和P沟道增强

MODE POWER MOSFET

N-CH BV

DSS

DS （ ON）

P- CH BV

DSS

DS （ ON）

35V

36mΩ

5.8A

-35V

68mΩ

-4.3A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

存储温度范围

工作结温范围

12.5

0.05

-55到150

等级

N沟道

±20

5.8

4.7

0.016

12.5

-5

0.05

P沟道

-35

±20

-4.3

-3.4

-20

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200615051-1/7

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