欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AP4525GEM 参数 Datasheet PDF下载

AP4525GEM图片预览
型号: AP4525GEM
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 118 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号AP4525GEM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP4525GEM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP4525GEM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP4525GEM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AP4525GEM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AP4525GEM的Datasheet PDF文件第7页  
AP4525GEM
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
低导通电阻
快速开关性能
符合RoHS
SO-8
S1
G1
D2
D1
D1
D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS ( ON)
G2
S2
40V
28mΩ
6A
-40V
42mΩ
-5A
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本
有效性。
在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用,并适用于低电压
应用,如DC / DC转换器。
D1
G1
G2
D2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
40
±16
6.0
5.0
30
2.0
0.016
-55到150
-55到150
P沟道
-40
±16
-5.0
-4.0
-30
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200725064-1/7