AP4565M 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP4565M
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内容描述：	N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 98 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP4565M

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

低导通电阻

▼

快速开关性能

D1 D2

D1 D1

N型和P沟道增强

MODE POWER MOSFET

N-CH BV

DSS

DS （ ON）

G1 S2

S1 G1

40V

25mΩ

7.6A

-40V

33mΩ

-6.5A

P- CH BV

DSS

DS （ ON）

SO-8

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本

有效性。

在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-

工业表面贴装应用，并适用于低电压

应用，如DC / DC转换器。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

±20

7.6

2.0

0.016

-55到150

等级

N沟道

P沟道

-40

±20

-6.5

-5.2

-30

W/℃

℃

单位

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200422041

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