AP4563GH 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP4563GH
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内容描述：	N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 85 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP4563GH

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

D1/D2

N型和P沟道增强

MODE POWER MOSFET

N沟道

DSS

DS （ ON）

DSS

DS （ ON）

40V

30mΩ

30A

-40V

36mΩ

-27A

▼

良好的散热性能

▼

快速开关性能

▼

符合RoHS

P沟道

描述

TO-252-4L

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本

有效性。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

±20

100

0.31

-55到150

等级

N沟道

P沟道

-40

±20

-27

-17

-100

-41.7

-0.34

W/℃

℃

单位

热数据

符号

Rthj -C （N- CH ）

Rthj -C （ P- CH ）

Rthj -A

参数

热阻结案件

价值

马克斯。

3.2

110

单位

℃/W

热阻结到环境

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200617051-1/7

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