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AP4920M 参数 Datasheet PDF下载

AP4920M图片预览
型号: AP4920M
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 81 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP4920M
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
低导通电阻
快速开关
D1
G2
S2
D2
D1
D2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
25V
25mΩ
7A
SO-8
S1
G1
描述
D1
D2
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本
有效性。
在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用,并适用于低电压
应用,如DC / DC转换器。
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
25
±
20
7
5.7
20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
20020305