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AP50L02S 参数 Datasheet PDF下载

AP50L02S图片预览
型号: AP50L02S
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 85 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP50L02S/P
f=1.0MHz
16
10000
14
I
D
=20A
V
DS
=12V
V
DS
=16V
V
DS
=20V
1000
V
GS
,门源电压( V)
12
10
8
C( pF)的
西塞
科斯
100
6
CRSS
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
10
1
6
11
16
21
26
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100
3
10
2
T
j
=150 C
o
I
S
(A)
T
j
=25
o
C
V
GS ( TH)
(V)
1
0
-50
1
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
0
50
100
150
V
SD
(V)
T
j
,结温(
o
C)
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温