AP60L02GP 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP60L02GP
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 84 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP60L02GS/P

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

简单的驱动要求

▼

快速开关

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

25V

12mΩ

50A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在TO- 263封装普遍首选的所有commercial-

工业表面贴装应用，并适用于低电压

应用，如DC / DC转换器。通孔版

（ AP60L02GP ）可用于小尺寸应用。

克ð

TO-263(S)

TO-220(P)

等级

180

62.5

0.5

单位

W/℃

℃

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

-55到150

热数据

符号

Rthj情况

Rthj - AMB

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

价值

2.0

单位

℃/W

数据&规格如有变更，恕不另行通知

200218032

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