AP630GP 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP630GP
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 84 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP630GP

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

动态的dv / dt额定值

▼

额定重复性雪崩

▼

快速开关

▼

简单的驱动要求

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

TO-220

200V

400mΩ

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-

到大约50的工业应用在功率耗散水平

瓦。通孔版（ AP630GP ）可用于低轮廓

应用程序。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

存储温度范围

工作结温范围

等级

200

5.7

0.59

240

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

价值

1.7

单位

℃/W

数据&规格如有变更，恕不另行通知

200219032

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