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AP6679GH 参数 Datasheet PDF下载

AP6679GH图片预览
型号: AP6679GH
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内容描述: P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 6 页 / 217 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP6679GH/J
280
150
240
T
C
=25
o
C
-10V
-8.0V
-I
D
,漏电流( A)
-6.0V
100
T
C
=150
o
C
-10V
-8.0V
-6.0V
-4.5V
-I
D
,漏电流( A)
200
160
120
-4.5V
50
80
V
G
=-3.0V
40
V
G
=-3.0V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
15
1.8
I
D
= -24A
T
C
=25
13
1.6
I
D
= -30A
V
G
= -10V
归一化ř
DS ( ON)
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
1.4
11
1.2
1.0
9
0.8
7
3
5
7
9
11
0.6
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.2
30
1.8
20
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
-V
GS ( TH)
(V)
1.2
1.4
-I
S
(A)
1.4
10
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.6
-50
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温(
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3