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    AP6680AGM 参数 Datasheet PDF下载

    AP6680AGM图片预览
    型号： AP6680AGM
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 197 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP6680AGM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP6680AGM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP6680AGM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP6680AGM的Datasheet PDF文件第5页  
    AP6680AGM
    符合RoHS标准的产品
    先进的电源
    电子股份有限公司
    ▼
    低导通电阻
    ▼
    简单的驱动要求
    ▼
    快速开关特性
    G
    N沟道增强模式
    功率MOSFET
    D
    BV
    DSS
    R
    DS （ ON）
    I
    D
    30V
    11mΩ
    12A
    S
    描述
    来自APEC高级功率MOSFET提供
    设计师与快速切换的最佳组合，
    加固装置的设计，超低导通电阻和
    成本效益。
    D
    D
    D
    D
    SO-8
    S
    S
    S
    G
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    @T
    A
    =25℃
    I
    D
    @T
    A
    =70℃
    I
    DM
    P
    D
    @T
    A
    =25℃
    T
    英镑
    T
    J
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    3
    连续漏电流
    3
    漏电流脉冲
    1
    总功耗
    线性降额因子
    存储温度范围
    工作结温范围
    等级
    30
    +20
    12
    9.8
    60
    2.5
    0.02
    -55到150
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    W/℃
    ℃
    ℃
    热数据
    符号
    Rthj -A
    参数
    最大热阻，结到环境
    3
    价值
    50
    单位
    ℃/W
    数据和规格如有变更，恕不另行通知
    1
    200810084

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