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AP6924GEY 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AP6924GEY
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内容描述: N沟道MOSFET和肖特基二极管 [N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 4 页 / 78 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP6924GEY
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
低导通电阻
快速开关特性
包括肖特基二极管
SOT-26
D
K
S
N沟道MOSFET和肖特基
二极管
BV
DSS
R
DS ( ON)
A
20V
600mΩ
1A
I
D
描述
D
A
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,超低导通电阻和
成本效益。
G
S
K
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
I
F
I
FM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源极电压( MOSFET )
反向电压(肖特基)
栅源电压( MOSFET )
连续漏电流
3
管(MOSFET )
连续漏电流
3
管(MOSFET )
漏电流脉冲
1
管(MOSFET )
平均正向电流(肖特基)
脉冲正向电流
1
(肖特基)
总功率耗散( MOSFET )
总功率耗散(肖特基)
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
20
±6
1
0.8
8
0.5
2
0.9
0.9
-55至125
-55至125
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
管(MOSFET )
热阻结到环境
3
(肖特基)
价值
马克斯。
马克斯。
110
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200301051