AP6982M 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP6982M
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内容描述：	N沟道增强模式 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 133 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP6982M

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低导通电阻

▼

单驱动要求

▼

表面贴装封装

D1 D2

D1 D1

N沟道增强模式

功率MOSFET

CH-1

DSS

DS （ ON）

30V

18mΩ

8.8A

30V

25mΩ

7.5A

SO-8

G1 S2

S1 G1

CH-2

DSS

DS （ ON）

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

N沟道

±25

8.8

2.0

0.016

-55到150

P沟道

±25

7.5

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

价值

马克斯。

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200526041

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