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    AP9435GH 参数 Datasheet PDF下载

    AP9435GH图片预览
    型号： AP9435GH
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
    文件页数/大小： 6 页 / 180 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP9435GH的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP9435GH的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP9435GH的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP9435GH的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AP9435GH的Datasheet PDF文件第6页  
    AP9435GH/J
    符合RoHS标准的产品
    先进的电源
    电子股份有限公司
    ▼
    低栅电荷
    ▼
    简单的驱动要求
    ▼
    快速开关
    G
    S
    D
    P沟道增强模式
    功率MOSFET
    BV
    DSS
    R
    DS （ ON）
    I
    D
    -30V
    50mΩ
    - 20A
    描述
    G
    先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
    实现尽可能低的导通电阻，非常有效和成本
    效益的设备。
    在TO-252 / TO- 251封装被广泛用于商业，工业
    应用程序。
    G
    D
    D
    S
    TO-252(H)
    S
    TO-251(J)
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    @T
    C
    =25℃
    I
    D
    @T
    C
    =100℃
    I
    DM
    P
    D
    @T
    C
    =25℃
    T
    英镑
    T
    J
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    连续漏电流
    漏电流脉冲
    1
    总功耗
    线性降额因子
    存储温度范围
    工作结温范围
    等级
    - 30
    ±20
    - 20
    -13
    -60
    12.5
    0.1
    -55到150
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    W/℃
    ℃
    ℃
    热数据
    符号
    Rthj -C
    Rthj -A
    参数
    最大热阻，结案件
    最大热阻，结到环境
    价值
    10
    110
    单位
    ℃/W
    ℃/W
    数据和规格如有变更，恕不另行通知
    201017075-1/4

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