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型号: AP9926GO
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 83 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP9926GO
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
低导通电阻
能够2.5V栅极驱动
低驱动电流
表面贴装封装
D2
S2
G2
S2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
S1
D1
G1
S1
20V
28mΩ
4.6A
TSSOP-8
I
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,超低导通电阻和
成本效益。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
±
8
4.6
3.7
20
1
0.008
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
125
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
20071902