AP9926M 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP9926M
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 83 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP9926M

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低导通电阻

▼

能够2.5V栅极驱动

▼

低驱动电流

▼

表面贴装封装

SO-8

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

20V

30mΩ

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 4.5V

连续漏电流

, V

@ 4.5V

漏电流脉冲

1,2

等级

± 12

4.8

0.016

-55到150

单位

W/℃

℃

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

20020426

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