AP9930M 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP9930M
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内容描述：	2N和2P沟道增强 [2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 99 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP9930M

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

低导通电阻

▼

在全桥应用

液晶显示器逆变器

SO-8

N1G

P1S/P2S

P1G

P2G

N2D/P2D

2N和2P沟道增强

MODE POWER MOSFET

N-CH BV

DSS

DS （ ON）

N2G

N1S/N2S

N1D/P1D

30V

33mΩ

6.3A

-30V

55mΩ

-5.1A

P- CH BV

DSS

DS （ ON）

P1S

P1G

P2S

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本

有效性。

在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-

工业表面贴装应用，并适用于低电压

应用，如DC / DC转换器。

N1G

P2G

P1N1D

P2N2D

N2G

N1S

N2S

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

± 25

6.3

4.2

2.0

0.016

等级

N沟道

单位

-30

±25

-5.1

-3.4

-20

W/℃

℃

P沟道

-55到150

热数据

符号

Rthj - AMB

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200612032

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