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AP9934GM 参数 Datasheet PDF下载

AP9934GM图片预览
型号: AP9934GM
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内容描述: 2N和2P沟道增强型功率MOSFET [2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 99 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP9934GM
P沟道
21
21
18
T
A
=25
o
C
-I
D
,漏电流( A)
15
-I
D
,漏电流( A)
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
18
T
A
= 150
o
C
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
15
12
12
9
9
V
G
= - 2.5V
6
6
V
G
= - 2.5V
3
3
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
100
1.6
I
D
= -2 A
90
T
A
=25
o
C
归一化ř
DS ( ON)
1.4
I
D
= -3 A
V
G
= - 10V
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
1.2
80
1.0
70
0.8
60
2
4
6
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温(
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2
4
归-V
GS ( TH)
(V)
1.2
3
1.5
-I
S
(A)
2
T
j
=150
o
C
T
j
=25 C
o
1
1
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
-50
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温