AP9997GK 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP9997GK
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 95 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP9997GK

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

低栅极电荷

▼

快速开关特性

SOT-223

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

100V

120mΩ

3.2A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

低导通电阻和成本效益。

采用SOT - 223封装是专为suface安装

应用程序中，较大的散热片比SO- 8和SOT封装。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

等级

100

+20

3.2

2.6

2.8

-55到150

单位

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

最大热阻，结到环境

价值

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

201006153

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