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    AAT3215IGV-2.8-T1 参数 Datasheet PDF下载

    AAT3215IGV-2.8-T1图片预览
    型号： AAT3215IGV-2.8-T1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 150毫安CMOS高性能LDO [150mA CMOS High Performance LDO]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 18 页 / 343 K
    品牌： AAT [ ADVANCED ANALOG TECHNOLOGY, INC. ]
     浏览型号AAT3215IGV-2.8-T1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AAT3215IGV-2.8-T1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AAT3215IGV-2.8-T1的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AAT3215IGV-2.8-T1的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AAT3215IGV-2.8-T1的Datasheet PDF文件第12页浏览型号AAT3215IGV-2.8-T1的Datasheet PDF文件第13页浏览型号AAT3215IGV-2.8-T1的Datasheet PDF文件第14页浏览型号AAT3215IGV-2.8-T1的Datasheet PDF文件第15页  
    150毫安CMOS高性能LDO
    泰宁上的内部寄生反向偏压
    二极管。条件下V
    OUT
    可能超过V
    IN
    应该避免，因为这将正向偏置
    的内部寄生二极管，并允许过度
    电流流入V
    OUT
    针，有可能损坏
    LDO稳压器。
    在应用中，有V的可能性
    OUT
    超过V
    IN
    的时间中去甲简短的金额
    发作的操作，使用较大的值C的
    IN
    电容
    器强烈推荐。的C值越大
    IN
    相至C
    OUT
    会影响较慢ç
    IN
    衰变
    在关闭期间率，从而防止V
    OUT
    从
    超过V
    IN
    。在应用中，有一
    V的更大的危险
    OUT
    超过V
    IN
    对于延长
    的时间周期，建议设置一个
    跨V肖特基二极管
    IN
    到V
    OUT
    （连接
    阴极V
    IN
    和阳极到V
    OUT
    ） 。肖特基
    二极管的正向电压应小于0.45V 。
    其中T
    A
    = 85 ℃，通常在环境条件下
    T
    A
    = 25°C 。鉴于牛逼
    A
    = 85 ℃时，最大封装
    年龄功耗为211mW 。在T
    A
    = 25 ℃，则
    最大功率为526mW 。
    最大连续输出电流，
    AAT3215是封装的功率的函数的耗散
    而不能使并且在输入 - 输出电压降
    LDO稳压器。请参考以下简单
    公式：
    AAT3215
    I
    输出（最大）
    ＆ LT ;
    P
    D（最大）
    (V
    IN
    - V
    OUT
    )
    散热注意事项和高
    输出电流的应用
    该AAT3215旨在提供一个连续
    150mA电流下正常operat-输出负载电流
    荷兰国际集团的条件。
    为最大输出的限流特性
    负载电流的安全工作区基本上是
    封装的功耗和内部预置
    该装置的热限制。为了得到高
    工作电流，细心的设备布局和电路
    操作条件需要被考虑在内。
    下面的讨论将承担LDO稳压
    软件模拟器是安装在利用印刷电路板上的
    如在规定的最低建议足迹
    该数据表的布局考量部分。
    在任何给定的环境温度（T
    A
    ） ，马克西
    妈妈包的功耗，可以决定
    开采由下面的等式：
    例如，若V
    IN
    = 5V, V
    OUT
    = 3V ，和T
    A
    = 25°C,
    I
    输出（最大）
    < 264毫安。如果输出负载电流均
    超过264毫安或者，如果环境温度
    要增加，内部芯片温度
    会增加。如果条件仍然CON-
    恒定， LDO稳压器热保护电路
    将启动。
    来确定最大输入电压为一
    给定的负载电流，请参考下面的等式。
    这种计算占总功率耗散
    而不能使LDO稳压器，包括引起
    通过接地电流。
    P
    D（最大）
    = (V
    IN
    - V
    OUT
    )I
    OUT
    + (V
    IN
    · I
    GND
    )
    这个公式可以解决的V
    IN
    确定
    最大输入电压。
    V
    IN （MAX）
    =
    P
    D（最大）
    + (V
    OUT
    ·
    I
    OUT
    )
    I
    OUT
    + I
    GND
    下面是用于对一个AAT3215集的示例
    一个2.5伏的输出：
    V
    OUT
    I
    OUT
    I
    GND
    = 2.5V
    = 150毫安
    = 150µA
    P
    D（最大）
    =
    T
    J（下最大）
    - T
    A
    θ
    JA
    V
    IN （MAX）
    =
    常量为AAT3215为T
    J（下最大）
    中，马克西 -
    妈妈结温的量是该装置
    125 ℃，并
    Θ
    JA
    = 190 ° C / W ，封装的热
    性。通常情况下，最大的条件是校准 -
    culated在最高工作温度
    526mW + （ 2.5V
    ·
    150mA)
    150毫安+ 150μA
    V
    IN （MAX）
    = 6.00V
    从上面的讨论，磷
    D（最大）
    为阻止 -
    开采等于526mW在T
    A
    = 25°C.
    3215.2006.05.1.6
    11

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