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AAT3215IGV-2.8-T1 参数 Datasheet PDF下载

AAT3215IGV-2.8-T1图片预览
型号: AAT3215IGV-2.8-T1
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内容描述: 150毫安CMOS高性能LDO [150mA CMOS High Performance LDO]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 343 K
品牌: AAT [ ADVANCED ANALOG TECHNOLOGY, INC. ]
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150毫安CMOS高性能LDO
典型特征
除非另有说明,V
IN
= 5V ,T
A
= 25°C.
AAT3215
漏失电压与温度的关系
200
降特性
3.1
漏失电压(MV )
160
140
120
100
80
60
40
20
0
-40
-20
输出电压(V)
180
I
L
= 150毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 50毫安
3.0
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
2.9
I
OUT
= 100毫安
2.8
I
OUT
= 50毫安
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
2.7
0
20
40
60
80
100
120
温度(℃)
输入电压( V)
漏失电压与输出电流
200
地电流与输入电压
120
漏失电压(MV )
接地电流( μA )
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
100
80
60
40
20
0
2
V
OUT
= 3.0V
I
OUT
= 5毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 0
3
4
5
输出电流(mA )
输入电压( V)
地电流与温度的关系
(V
OUT
= 3.0V)
105
3.014
输出电压与温度的关系
接地电流( μA )
输出电压(V)
0
50
100
150
100
95
90
85
80
-50
3.013
3.012
3.011
3.01
3.009
3.008
3.007
-50
0
50
100
150
温度(℃)
温度
(°C)
3215.2006.05.1.6
5