150毫安CMOS高性能LDO
高峰值输出电流的应用
有些应用程序需要的LDO稳压器
在连续额定电平，短操作
持续时间，高电流峰值。占空比为
两个输出电流电平必须考虑到
帐户。要做到这一点，首先计算功率耗散
而不能使在标称连续的水平，那么因素
在额外的功耗，由于短
持续时间，高电流峰值。
例如，使用一个2.5V系统AAT3215IGV-
2.5 -T1工作在连续百毫安负载电流
租金水平及蓄短150毫安电流峰值。该
电流峰值出现的378μs出了4.61ms围
OD 。将假设输入电压是4.2V。
首先，当前的占空比在百分之必须CAL-
culated ：
％峰值占空比： X / 100 = 378μs / 4.61ms
％峰值占空比= 8.2 ％
该LDO稳压器将是100mA的电流下
为4.61ms周期和91.8 ％的150毫安
峰值出现的时间8.2 ％ 。接着，将
连续额定功耗为
100mA的电流应确定再乘以
由占空比结束的实际功率显示
sipation随着时间的推移。
P
D（最大）
P
D(100mA)
P
D(100mA)
= (V
IN
- V
OUT
)I
OUT
+ (V
IN
· I
GND
)
= （ 4.2V - 2.5V ） 100毫安+ （ 4.2V · 150μA ）
= 170.6mW
雷VAR-下真正的总功耗
IED负载。
P
D（ TOTAL ）
= P
D(100mA)
+ P
D(150mA)
P
D（ TOTAL ）
= 156.6mW时21mW +
P
D（ TOTAL ）
= 177.6mW
最大功耗为AAT3215
在85 ℃的环境温度下操作是
211mW 。在本实施例的设备将具有一个总
177.6mW的功耗。这是完全在
温度极限为设备的安全操作。
AAT3215
印刷电路板布局
建议
为了获得从最大性能
在AAT3215 LDO稳压器，慎重考虑
应给该印刷电路板（PCB）
布局。如果接地连接不正确
制作，电源纹波抑制比，低产出的自我
噪声和瞬态响应可能会受到影响。
图1显示了一种常见的LDO稳压器的布局
方案。 LDO稳压器，外接电容
(C
IN
, C
OUT
和C
BYP
），以及负载电路都
连接到公共的地平面。这类
布局简单应用工作哪里好
电源纹波抑制比，低自我噪音是
而不是设计问题。对于高性能应用程序
阳离子，不建议使用此方法。
在图1的布局的问题是
旁路电容器和输出电容器共享
同样地路径LDO稳压器接地引脚，
随着从高强度电流返回路径
加载回电源。该旁路电容
itor节点直接连接到LDO稳压器
内部基准，从而使该节点非常敏感
噪声或纹波。内部基准电压输出
馈送到误差放大器，因此任何噪声或纹波
从旁路电容器将随后
由误差放大器的增益进行放大。这
效果可提高可见的噪声LDO稳压
器的输出，以及降低的最大可能
电源纹波抑制比。有PCB走线
旁路电容之间的连接阻抗
重刑地面和LDO稳压器接地CON-
接口上。当在高负载电流返回
通过这条道路，创建一个小的纹波电压，
馈送到C
BYP
循环。
P
D(91.8%D/C)
= ％ DC · P
D(100mA)
P
D(91.8%D/C)
= 0.918 · 170.6mW
P
D(91.8%D/C)
= 156.6mW
功耗为100mA的电流产生的
占空比为91.8 ％将是156.6mW 。现在，
功耗的余下8.2 ％
占空比在150毫安负载可以这样计算：
P
D（最大）
P
D(150mA)
P
D(150mA)
= (V
IN
- V
OUT
)I
OUT
+ (V
IN
· I
GND
)
= （ 4.2V - 2.5V ） 150毫安+ （ 4.2V · 150毫安）
= 255.6mW
P
D(8.2%D/C)
= ％ DC · P
D(150mA)
P
D(8.2%D/C)
= 0.082 · 255.6mW
P
D(8.2%D/C)
时21mW =
在功耗150毫安负载发生了
在工作周期的8.2％将是时21mW 。最后，该
两个功耗等级可以概括来确定
3215.2006.05.1.6
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AAT [ ADVANCED ANALOG TECHNOLOGY, INC. ]
