AAT3236IGV-2.5-T1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AAT3236IGV-2.5-T1
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内容描述：	300毫安CMOS高性能LDO [300mA CMOS High Performance LDO]
分类和应用：
文件页数/大小：	18 页 / 227 K
品牌：	AAT [ ADVANCED ANALOG TECHNOLOGY, INC. ]

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AAT3236

300毫安CMOS高性能LDO

应用信息

输入电容

通常情况下，一个1μF或更大的电容是推荐使用

ED对C

在大多数应用中。 A C

电容

不需要基本的LDO稳压器的操作。

然而，如果AAT3236物理上位于更

比从输入电源6厘米，一

电容器将用于稳定工作。

应紧密地定位到设备V

引脚的实际可能。 ç

值大于

1μF将提供优越的输入线路瞬态响应

并协助最大化尽可能高的

电源纹波抑制比。

陶瓷，钽和铝电解质capac-

itors可以选择对C

。没有具体的

电容的ESR要求对C

。然而，对于

300毫安LDO稳压器的输出操作，陶瓷

电容器被推荐对C

由于它们的

在钽电容器可承受的固有能力

站输入浪涌电流低阻抗

源，如电池的便携式设备。

在低输出电流的应用场合输出

负荷是小于10mA ，为最小值

OUT

可低至0.47μF 。

旁路电容和低噪声

应用

旁路电容引脚提供增强

在AAT3236 LDO的低噪声特性

调节器。旁路电容是没有必要

为AAT3236的操作。然而，为了获得最佳

器件性能，一个小的陶瓷电容器

应置于之间的旁路引脚（ BYP ）

和器件的接地端子（GND ）。的值

BYP

范围从470pF的至10nF 。对于最低

噪声和最佳的电源纹波rejec-

化性能10nF电容应该被使用。

为了切实实现最高电源纹波

PLE排斥和最低输出噪声性能，

至关重要的是，之间的电容器连接

在BYP引脚与GND引脚直接和PCB走线

应尽可能地短。指的是印刷电路板

该数据表的布局建议部分

为例子。

有旁通关系capac-

itor值和LDO稳压器的开启时间。在

应用中快速的器件导通时间为

的C所希望的，则该值

BYP

应减少。

在应用中的低噪声性能

和/或纹波抑制较少关注的，所述

旁路电容器可以省略。最快

器件的导通时间会意识到，当没有

旁路电容器被使用。

该引脚上的直流泄漏会影响LDO稳压

器的输出噪声和电压调节perform-

ANCE 。出于这个原因，使用一个低的泄漏，

高品质陶瓷（NPO法人或C0G型）或薄膜

电容强烈推荐。

输出电容

对于适当的负载电压调节和操作

稳定性，需要销V之间的电容器

OUT

和GND 。了C

OUT

电容连接到

LDO稳压器的接地引脚应作为

作为指导实际可能的最大器件

性能。

该AAT3236是专门设计来

功能非常低ESR的陶瓷电容。

尽管该装置是为了与操作

这些低ESR的电容器，它是稳定的一个非常

多种电容的ESR ，因此它也将

具有较高的ESR的钽电容或铝电解

电容器。

但是，为了获得最佳性能，

建议使用陶瓷电容。

最大输出典型输出电容值

把目前的条件范围从1μF到10μF 。

利用极低的输出应用

噪声和最佳的电源纹波抑制

在AAT3236的特点应使用2.2μF或

更大的对C

OUT

。如果需要的话，C

OUT

可能是

增加无极限。

电容特性

陶瓷电容组成的强烈建

谁料超过所有其他类型的电容器用

与AAT3236 。陶瓷电容器提供了许多

在他们的钽电容和铝elec-优势

trolytic同行。陶瓷电容器通常

具有非常低的ESR ，是成本低，具有更小的印刷电路板

3236.2007.03.1.4

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