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    AAT3236IGV-2.7-T1 参数 Datasheet PDF下载

    AAT3236IGV-2.7-T1图片预览
    型号： AAT3236IGV-2.7-T1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 300毫安CMOS高性能LDO [300mA CMOS High Performance LDO]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 18 页 / 227 K
    品牌： AAT [ ADVANCED ANALOG TECHNOLOGY, INC. ]
     浏览型号AAT3236IGV-2.7-T1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AAT3236IGV-2.7-T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AAT3236IGV-2.7-T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AAT3236IGV-2.7-T1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AAT3236IGV-2.7-T1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AAT3236IGV-2.7-T1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AAT3236IGV-2.7-T1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AAT3236IGV-2.7-T1的Datasheet PDF文件第9页  
    AAT3236
    300毫安CMOS高性能LDO
    典型特征
    漏失电压与温度的关系
    400
    3.1
    降特性
    漏失电压（MV ）
    300
    250
    200
    150
    100
    50
    0
    -40
    -20
    0
    20
    40
    60
    80
    I
    L
    = 300毫安
    输出电压（V）
    350
    3.0
    I
    OUT
    = 10毫安
    I
    OUT
    = 0毫安
    I
    OUT
    = 50毫安
    2.9
    I
    OUT
    = 100毫安
    I
    OUT
    = 150毫安
    I
    L
    = 150毫安
    I
    L
    = 100毫安
    I
    L
    = 50毫安
    2.8
    I
    OUT
    = 300毫安
    2.7
    2.9
    3.0
    3.1
    3.2
    3.3
    100
    120
    温度（℃）
    输入电压（ V）
    地电流与温度的关系
    105
    120
    地电流与输入电压
    V
    OUT
    = 3.0V
    I
    OUT
    = 0
    I
    OUT
    = 50毫安
    I
    OUT
    = 150毫安
    I
    OUT
    = 300毫安
    接地电流（ μA ）
    接地电流（ μA ）
    100
    95
    90
    85
    80
    -50
    0
    50
    100
    150
    100
    80
    60
    40
    20
    0
    2
    3
    4
    5
    温度（℃）
    输入电压（ V）
    漏失电压与输出电流
    350
    3.014
    输出电压与温度的关系
    漏失电压（MV ）
    85 C
    25 C
    -40 C
    250
    200
    150
    100
    50
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    250
    输出电压（V）
    300
    3.013
    3.012
    3.011
    3.01
    3.009
    3.008
    3.007
    300
    -50
    0
    50
    100
    150
    输出电流（mA ）
    温度（℃）
    3236.2007.03.1.4
    5

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