20V P沟道功率MOSFET
概述
该AAT7357是一个低阈值的双P通道
MOSFET的设计的电池，手机，和
PDA市场。采用AnalogicTech的超高
密度MOSFET工艺，节省空间，
小外形， J形引脚封装，性能superi-
或通常采用TSSOP - 8封装发现
已经挤进了足迹
TSOPJW - 8封装。
AAT7357
特点
•
•
•
漏源极电压（最大） ： -20V
连续预防漏电流
1
（ MAX）= -5A @ 25°C
低导通电阻：
= 39mΩ @ V
GS
= -4.5V
= 63mΩ @ V
GS
= -2.5V
双TSOPJW - 8封装
D1
8
应用
•
•
•
电池组
电池供电的便携式设备
蜂窝和无绳电话
顶视图
D1
7
D2
6
D2
5
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
1
S1
2
G1
3
S2
4
G2
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
= 150°C
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
1
最大功率耗散
1
工作结温范围
存储温度范围
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
价值
-20
±12
±5
±4
±12
-1.3
1.6
1.0
-55到150
-55到150
单位
V
A
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
W
°C
°C
热特性
1
符号
R
θJA
R
θJA2
R
θJF
描述
结到环境的稳态，一个FET上
结至环境t<5秒
结到脚
典型值
115
64
60
最大
140
78
72
单位
° C / W
° C / W
° C / W
安装在1" X 1" PCB采用优化的布局1.根据结点到环境的同时散热。在5秒钟的脉搏
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。 ř
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。 ř
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
7357.2005.04.1.0
1
AAT [ ADVANCED ANALOG TECHNOLOGY, INC. ]
