V
DRM
I
TGQM
I
TSM
V
T0
r
T
V
DClin
=
=
=
=
=
=
4500
3000
24
1.80
0.70
3000
V
A
kA
V
mΩ
V
栅极关断晶闸管
5SGF 30J4502
初步
文档。 2000年第5SYA 1211年至1204年八月
•
专利自由浮动的硅技术
•
低通态损耗和开关损耗
•
环形栅电极
•
行业标准房
•
宇宙辐射耐受评级
该5SGF 30J4502是非常低的动态和85毫米缓冲层GTO
设计复古适合所有前3千安的GTO相同电压的静态损耗。它提供
通态损耗和开关损耗之间的最佳折衷被封装在一个
行业标准的压装壳体108毫米宽和26毫米厚。
闭塞
V
DRM
V
RRM
I
DRM
I
RRM
V
的dcLINK
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
重复峰值断态电流
反向重复峰值电流
100永久直流电压
FIT故障率
≤
≤
4500 V
17 V
百毫安
50毫安
3000 V
V
D
= V
DRM
V
R
= V
RRM
V
GR
≥
2V
R
GK
=
∞
V
GR
≥
2V
-40
≤
T
j
≤
125°C 。周围的宇宙
辐射在露天海平面。
机械数据
（参见图19）
F
m
安装力
A
加速度：
夹紧装置
夹紧装置
M
D
S
D
a
重量
表面爬电距离
空袭距离
≥
≥
50米/ s的
2
200米/ s的
2
1.3千克
33 mm
15 mm
分钟。
马克斯。
28千牛
38千牛
ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
ABB [ THE ABB GROUP ]
