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    5SHY55L4500 参数 Datasheet PDF下载

    5SHY55L4500图片预览
    型号： 5SHY55L4500
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 不对称的集成网关换流晶闸管 [Asymmetric Integrated Gate- Commutated Thyristor]
    分类和应用： 栅
    文件页数/大小： 9 页 / 771 K
    品牌： ABB [ THE ABB GROUP ]
     浏览型号5SHY55L4500的Datasheet PDF文件第1页浏览型号5SHY55L4500的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5SHY55L4500的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5SHY55L4500的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5SHY55L4500的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5SHY55L4500的Datasheet PDF文件第7页浏览型号5SHY55L4500的Datasheet PDF文件第8页浏览型号5SHY55L4500的Datasheet PDF文件第9页  
    5SHY 55L4500
    GCT数据
    导通状态
    （参照图
    1)
    3, 4, 5, 6, 14, 15)
    最大额定值
    参数
    马克斯。平均通态
    当前
    马克斯。 RMS通态电流
    马克斯。峰值不重复
    浪涌通态电流
    极限载荷积分
    马克斯。峰值不重复
    浪涌通态电流
    极限载荷积分
    马克斯。峰值不重复
    浪涌通态电流
    极限载荷积分
    之间的杂散电感
    GCT和反并联二极管
    的导通临界上升率
    目前状态
    特征值
    符号条件
    I
    T（ AV ）M
    半正弦波，T
    C
    = 85 °C,
    双侧冷却
    I
    T（ RMS ）
    I
    TSM
    I
    2
    t
    I
    TSM
    I
    2
    t
    I
    TSM
    I
    2
    t
    L
    D
    di
    T
    / DT
    cr
    仅适用于与应用
    反并联二极管的IGCT
    对于高迪
    T
    / dt和电流下
    超过100 A外部再触发PULS
    是必须的。
    t
    p
    = 30毫秒， TJ = 125°C ，正弦波
    后激增： V
    D
    = V
    R
    = 0 V
    t
    p
    = 10毫秒， TJ = 125°C ，正弦波
    后激增： V
    D
    = V
    R
    = 0 V
    t
    p
    = 3毫秒， TJ = 125°C ，正弦波
    后激增： V
    D
    = V
    R
    = 0 V
    民
    典型值
    最大
    1880
    2950
    50×10
    3
    单位
    A
    A
    A
    6
    3.75×10
    33×10
    3
    A
    2
    s
    A
    54.5×10
    22×10
    3
    6
    A
    2
    s
    A
    7.26×10
    300
    200
    6
    A
    2
    s
    nH
    A / μs的
    参数
    通态电压
    阈值电压
    斜率电阻
    符号条件
    V
    T
    I
    T
    4000 = A，T
    j
    = 125 °C
    V
    (T0)
    r
    T
    T
    j
    = 125 °C
    I
    T
    = 1000...6000 A
    民
    典型值
    2.15
    1.25
    0.23
    最大
    2.35
    1.3
    0.26
    单位
    V
    V
    mΩ
    导通开关
    1)
    最大额定值
    （参照图14，图15 ）
    符号条件
    di
    T
    / DT
    cr
    F = 0..500赫兹，T
    j
    = 125 ° C，I
    T
    = 5000 A
    V
    D
    = 2800 V，I
    TM
    ≤
    7000 A
    符号条件
    t
    DON
    V
    D
    = 2800 V，T
    j
    = 125 °C
    I
    T
    = 4000 A ， di / dt的= V
    D
    / L
    i
    t
    唐SF
    L
    i
    = 3 µH
    C
    CL
    = 20 μF ，L
    CL
    = 0.3 µH
    t
    r
    E
    on
    民
    典型值
    最大
    1000
    单位
    A / μs的
    参数
    的导通临界上升率
    目前状态
    特征值
    参数
    导通延迟时间
    导通延迟时间状态
    反馈
    上升时间
    开启每个脉冲能量
    最大额定值
    民
    典型值
    最大
    4
    7
    1
    1.8
    单位
    µs
    µs
    µs
    J
    关断开关
    （参照图7 ，8，10 ，14，15 ）
    1)
    参数
    马克斯。可控关断
    当前
    马克斯。可控关断
    当前
    特征值
    符号条件
    I
    TGQM1
    V
    DM
    ≤
    V
    DRM
    ,
    T
    j
    = 125°C,
    I
    TGQM2
    R
    S
    = 0.35
    Ω,
    C
    CL
    = 20 µF,
    DRM
    L
    CL
    ≤
    0.3 µH
    民
    V
    D
    = 2800 V
    t
    on
    >为100μs
    典型值
    最大
    5500
    5000
    单位
    A
    A
    V
    D
    = 2800 V
    为40μs <吨
    on
    ＆ LT ;为100μs
    参数
    打开-O FF延迟时间
    关断延迟时间状态
    反馈
    关断能源每脉冲
    符号条件
    t
    DOFF
    V
    D
    = 2800 V，T
    j
    = 125 °C
    t
    脱SF
    V
    DM
    ≤
    V
    DRM
    , R
    S
    = 0.35
    Ω
    I
    TGQ
    4000 = A，L
    i
    = 3 µH
    C
    CL
    = 20 μF ，L
    CL
    = 0.3 µH
    E
    关闭
    民
    典型值
    最大
    7
    7
    单位
    µs
    µs
    J
    26
    待定
    ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
    文档。第5SYA1243-01 8月07
    第2 9

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