V
CE
I
C
=
=
6500 V
400 A
ABB HiPak
TM
IGBT模块
5SNA 0400J650100
文档。第5SYA 1592年至1501年6月7日
•
损耗低,坚固耐用SPT芯片组
•
平滑切换SPT芯片组为
良好的EMC
•
高绝缘封装
•
铝碳化硅基片用于高功率
循环能力
•
对于低热AlN基板
阻力
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
栅极 - 发射极电压
总功耗
直流正向电流
最大正向电流
浪涌电流
IGBT短路SOA
隔离电压
结温
1)
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GES
P
合计
I
F
I
FRM
I
FSM
t
PSC
V
ISOL
T
vj
T
VJ ( OP )
T
c
T
英镑
M
s
条件
V
GE
= 0 V ,T
vj
≥
25 °C
T
c
= 85 °C
t
p
= 1毫秒,T
c
= 85 °C
民
最大
6500
400
800
单位
V
A
A
V
W
A
A
A
µs
V
°C
°C
°C
°C
Nm
-20
T
c
= 25 ° C,每开关( IGBT )
20
7350
400
800
V
R
= 0 V ,T
vj
= 125 °C,
t
p
= 10毫秒,半正弦波
V
CC
= 4400 V, V
CEM CHIP
≤
6500 V
V
GE
≤
15 V ,T
vj
≤
125 °C
1分钟中,f = 50Hz的
-40
-40
-40
底座散热器, M6螺钉
主终端, M8螺丝
辅助端子, M4螺丝
4
8
2
4000
10
10200
125
125
125
125
6
10
3
结工作温度
外壳温度
储存温度
安装力矩
1)
2)
2)
M
t1
M
t2
最大额定值的界限,表明损坏设备符合IEC 60747 ,可能会出现
有关详细的安装说明,请参阅ABB号文件5SYA2039
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