V
SM
I
T（ AV ）M
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
T0
r
T
=
6500 V
=
1405 A
=
2205 A
= 22×10
3
A
=
1.2 V
=
0.6 mΩ
双向晶闸管控制
5STB 13N6500
文档。第5SYA1035-03 5月6日
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两个晶闸管集成在一个晶片
专利自由浮动的硅技术
设计的能量管理和工业应用中
最佳的功率处理能力
叉指放大大门。
的电和热的数据是有效的一晶闸管的一半装置的（除非另外说明）
闭塞
最大额定值
注1
参数
马克斯。浪涌峰值堵
电压
马克斯。重复峰值
反向阻断电压
的临界上升率
整流电压
特征值
符号条件
V
SM
V
RM
1)
民
典型值
最大
6500
5600
2000
单位
V
V
V / μs的
F = 5赫兹，T
p
= 10毫秒
F = 50 Hz时，T
p
= 10毫秒
进出口。到3750 V，T
vj
= 125°C
1)
dv / dt的
CRIT
参数
最大。漏电流
符号条件
I
RM
V
RM
, T
vj
= 125 °C
民
典型值
最大
400
单位
mA
1) V
RM
等于V
SM
最多至T
vj
= 110 ℃;每度低于5 ℃，适用于TJ ç降额的0.11 ％
机械数据
最大额定值
注1
参数
安装力
促进
促进
特征值
符号条件
F
M
a
a
夹紧装置
夹紧装置
民
81
典型值
90
最大
108
50
100
单位
kN
M / S
M / S
单位
kg
mm
mm
mm
2
2
参数
重量
外壳厚度
表面爬电距离
空袭距离
符号条件
m
H
D
S
D
a
F
M
= 90千牛，T
a
= 25 °C
民
35
53
22
典型值
最大
2.9
35.6
注1最大额定值的界限，表明损坏设备可能会发生
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
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