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    5STP10D1601 参数 Datasheet PDF下载

    5STP10D1601图片预览
    型号： 5STP10D1601
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 相位控制晶闸管 [Phase Control Thyristor]
    分类和应用： 栅极
    文件页数/大小： 6 页 / 148 K
    品牌： ABB [ THE ABB GROUP ]
     浏览型号5STP10D1601的Datasheet PDF文件第1页浏览型号5STP10D1601的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5STP10D1601的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5STP10D1601的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5STP10D1601的Datasheet PDF文件第6页  
    5STP 10D1601
    导通状态
    最大额定值
    1)
    参数
    平均通态电流
    RMS通态电流
    峰值不重复浪涌
    当前
    极限载荷积分
    峰值不重复浪涌
    当前
    极限载荷积分
    特征值
    符号条件
    I
    T（ AV ）M
    I
    T（ RMS ）
    I
    TSM
    It
    I
    TSM
    It
    符号条件
    V
    T
    V
    (T0)
    r
    T
    I
    H
    I
    L
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    T
    vj
    = 25 °C
    T
    vj
    = 125 °C
    I
    T
    1500 = A，T
    vj
    = 125 °C
    I
    T
    = 1000 A - 3600 A，T
    vj
    = 125 °C
    2
    2
    民
    典型值
    最大
    969
    1521
    15×10
    3
    单位
    A
    A
    A
    6
    半正弦波，T
    c
    = 70°C
    TP = 10毫秒，T
    vj
    = 125 °C,
    V
    D
    = V
    R
    = 0 V
    TP = 8.3毫秒，T
    vj
    = 125 °C,
    V
    D
    = V
    R
    = 0 V
    1.13×10
    16×10
    3
    A
    2
    s
    A
    1.06×10
    民
    典型值
    最大
    1.4
    0.933
    0.302
    170
    90
    450
    350
    6
    A
    2
    s
    单位
    V
    V
    mΩ
    mA
    mA
    mA
    mA
    参数
    通态电压
    阈值电压
    斜率电阻
    保持电流
    闭锁电流
    开关
    最大额定值
    1)
    参数
    的导通临界上升率
    目前状态
    的导通临界上升率
    目前状态
    符号条件
    的di / dt
    CRIT
    的di / dt
    CRIT
    T
    vj
    = 125 °C,
    I
    T
    = I
    T（ AV ）
    ,
    V
    D
    ≤
    1070 V,
    I
    FG
    = 2 A，T
    r
    = 0.3 µs
    续。
    F = 50赫兹
    续。
    F = 1赫兹
    民
    典型值
    最大
    200
    1000
    单位
    A / μs的
    A / μs的
    µs
    电路换向关断吨
    q
    时间
    特征值
    T
    vj
    ≤ 125 ° C，I
    TRM
    = 1500 A,
    V
    R
    = 200 V ，二
    T
    / DT = -12.5 A / μs的，
    V
    D
    ≤
    0.67⋅V
    DRM
    ， DV
    D
    / DT = 50V / μs的
    民
    150
    参数
    恢复电荷
    符号条件
    Q
    rr
    T
    vj
    ≤ 125 ° C，I
    TRM
    = 1500 A,
    V
    R
    = 200 V,
    di
    T
    / DT = -12.5 A / μs的
    V
    D
    = 0.4⋅V
    RM
    , I
    FG
    = 2 A,
    t
    r
    = 0.3微秒，T
    vj
    = 25 °C
    典型值
    1400
    最大
    单位
    μAs
    栅极导通延迟时间
    t
    gd
    2
    µs
    ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
    文档。第5SYA1057-01 05年3月
    第2 6

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