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    5STP34Q4600 参数 Datasheet PDF下载

    5STP34Q4600图片预览
    型号： 5STP34Q4600
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 相位控制晶闸管 [Phase Control Thyristor]
    分类和应用： 栅极局域网
    文件页数/大小： 6 页 / 318 K
    品牌： ABB [ THE ABB GROUP ]
     浏览型号5STP34Q4600的Datasheet PDF文件第1页浏览型号5STP34Q4600的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5STP34Q4600的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5STP34Q4600的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5STP34Q4600的Datasheet PDF文件第6页  
    5STP 34Q5200
    导通状态
    I
    TAVM
    I
    真有效值
    I
    TSM
    I
    2
    t
    马克斯。平均通态电流
    马克斯。 RMS通态电流
    马克斯。峰值不重复
    浪涌电流
    极限载荷积分
    3875 A
    6090 A
    55000 A
    60000 A
    TP =
    TP =
    10毫秒
    8.3毫秒
    10毫秒
    8.3毫秒
    3000 A
    T
    j
    = 125°C
    T
    j
    = 125°C
    后激增：
    V
    D
    = V
    R
    = 0V
    半正弦波，T
    C
    = 70°C
    15125千安
    2
    s = TP
    14940千安
    2
    s = TP
    V
    T
    V
    T0
    r
    T
    I
    H
    I
    L
    通态电压
    阈值电压
    斜率电阻
    保持电流
    1.54 V
    1.03 V
    0.160 mΩ
    50-125毫安
    20-75毫安
    I
    T
    =
    I
    T
    = 2300 - 7000 A
    T
    j
    = 25°C
    T
    j
    = 125°C
    T
    j
    = 25°C
    T
    j
    = 125°C
    闭锁电流
    100-毫安
    500
    75-250毫安
    开关
    的di / dt
    CRIT
    对国家崛起的临界速度
    当前
    250 A / μs的
    500 A / μs的
    续。 F = 50 Hz的V
    D
    ≤
    0.67⋅V
    DRM
    , T
    j
    = 125°C
    60秒。
    F = 50Hz的
    V
    D
    = 0.4⋅V
    DRM
    I
    TRM
    = 3000 A
    I
    FG
    = 2 A，T
    r
    = 0.5 µs
    I
    FG
    = 2 A，T
    r
    = 0.5 µs
    t
    d
    t
    q
    Q
    rr
    延迟时间
    打开-O FF时间
    ≤
    ≤
    民
    最大
    3.0 µs
    700 µs
    V
    D
    ≤
    0.67⋅V
    DRM
    I
    TRM
    3000 = A，T
    j
    = 125°C
    dv
    D
    / DT = 20V / μs的V
    R
    > 200伏，二
    T
    / DT = -5 A / μs的
    恢复电荷
    7000 μAs
    9000 μAs
    触发
    V
    GT
    I
    GT
    V
    GD
    I
    GD
    V
    FGM
    I
    FGM
    V
    RGM
    P
    G
    门极触发电压
    门极触发电流
    门非触发电压
    门非触发电流
    峰值正向栅极电压
    峰值正向栅电流
    峰值反向栅极电压
    门的功率损耗
    2.6 V
    400毫安
    0.3 V
    10毫安
    12 V
    10 A
    10 V
    3W
    T
    j
    = 25°
    T
    j
    = 25°
    V
    D
    = 0.4× V
    DRM
    V
    D
    = 0.4× V
    DRM
    ABB半导体公司保留更改恕不另行通知。
    文档。第5SYA1052-01 9月1日
    第2 6

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