V
帝斯曼
I
TAVM
I
真有效值
I
TSM
V
T0
r
T
=
=
=
=
=
=
2800 V
5080 A
7970 A
75000 A
0.86 V
0.07 mΩ
Ω
相位控制晶闸管
5STP 45N2800
文档。第5SYA1007-03 1月2日
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专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
专为牵引,能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大门
闭塞
最大额定值
1)
符号
V
DRM ,
V
RRM
V
RSM1
dv / dt的
CRIT
参数
条件
F = 50 Hz时,T
p
= 10ms的
t
p
= 5毫秒,单脉冲
进出口。 0.67 x垂直
DRM
, T
j
= 125°C
5STP 45N2800 5STP 45N2600 5STP 45N2200
2800 V
3000 V
2600 V
2800 V
1000 V / μs的
民
典型值
最大
400
400
单位
mA
mA
2200 V
2400 V
特征值
符号条件
I
DRM
I
RRM
V
DRM
, TJ = 125°C
V
RRM
, TJ = 125°C
Forwarde漏电流
反向漏电流
机械数据
最大额定值
1)
参数
安装力
促进
促进
特征值
符号条件
F
M
a
a
夹紧装置
夹紧装置
民
81
典型值
90
最大
108
50
100
单位
kN
M / S
M / S
单位
kg
mm
mm
2
2
参数
重量
表面爬电距离
空袭距离
符号条件
m
D
S
D
a
民
56
22
典型值
2.9
最大
1)
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
ABB瑞士公司,半导体公司保留更改产品规格,恕不另行通知。