V
DRM
V
帝斯曼
I
T（ AV ）M
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
(T0)
r
T
=
=
=
=
=
=
=
4400
5200
4120
6470
85.2×10
3
1.04
0.115
V
V
A
A
A
V
mΩ
Ω
相位控制晶闸管
5STP 52U5200
文档。第5SYA1042-02 12月3日
•
•
•
•
•
专利自由浮动的硅技术
低通态损耗和开关损耗
专为牵引，能源和工业应用
最佳的功率处理能力
叉指放大门
闭塞
最大额定值
1)
符号
V
帝斯曼，
V
RSM
V
DRM ，
V
RRM
V
RSM
dv / dt的
CRIT
参数
条件
F = 5赫兹，T
p
= 10毫秒
F = 50 Hz时，T
p
= 10毫秒
t
p
= 5毫秒，单脉冲
进出口。 0.67 x垂直
DRM
, T
vj
= 110°C
符号条件
I
帝斯曼
I
RSM
5STP 52U5200 5STP 52U5000
5200 V
4400 V
5700 V
5000 V
4200 V
5500 V
2000 V / μs的
民
典型值
5STP 52U4600
4600 V
4000 V
5100 V
特征值
最大
600
600
单位
mA
mA
正向漏电流
反向漏电流
V
帝斯曼
, T
vj
= 110°C
V
RSM
, T
vj
= 110°C
机械数据
最大额定值
1)
参数
安装力
促进
促进
特征值
符号条件
F
M
a
a
夹紧装置
夹紧装置
民
120
典型值
135
最大
160
50
100
单位
kN
M / S
M / S
单位
kg
mm
mm
mm
2
2
参数
重量
外壳厚度
表面爬电距离
符号条件
m
H
D
S
F
M
= 135千牛，T
a
= 25 °C
民
34.4
56
典型值
最大
3.6
35.4
空袭距离
D
a
22
1 ）最大额定值的界限，表明损坏设备可能会发生
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
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