微型电路股份有限公司
描述
该Accutek AK5321024N高密度存储器模块是
组织1024K CMOS动态RAM X 32位字。该MOD-
ULE由两个标准的1兆×16的DRAM塑料TSOP
包。该组件具有2德拉姆安装的前侧
在一个72焊盘无铅双排Sodim config-的印刷电路板
uration 。
这种配置允许插座安装的大量
存储器中的应用，其中高密度且易于插入的
额外存储器是很重要的。
该AK5321024N的操作是相同的2 1MEG ×16
德拉姆。有四个CAS号线和2的RAS线。对每家银行
1MEG ×32的，独立的字节的控制是通过4 CAS号完成
线。每个独立的CAS号线控制1MEG ×16的一字节
德拉姆。一个16位数据通道可以通过连接DQ产生
0
到DQ
16
， DQ
1
到DQ
17
等交替选通RAS
0
与RAS
2
.
前
SIDE
Accutek
AK5321024N
1,048,576字由32位CMOS
动态随机存取存储器
1
2
71
72
后
SIDE
特点
·
1,048,576 ×32位的组织
·
72垫双排Sodim模块
·
多个CAS和RAS线允许X16或X32位宽
·
CAS先于RAS ， RAS-只或隐藏刷新
·
工作自由的空气温度0
o
C至70
o
C
·
单5伏电源
·
1024刷新周期， 16毫秒
·
可在快速页模式和静态列模式
版本
·
动力
1.76瓦最大活动（为60ns ）
1.65瓦最大活动（ 70 NS）
1.54瓦最大活动（ 80 NS）
11毫瓦最大StandbyAvailable
其他选项可用
2梅格×32版本， AK5322048N
PIN NOMENCLATURE
DQ
0
- DQ
31
A
0
- A
9
CAS
0
- CAS
3
RAS
0
， RAS
2
WE
PD
0
- PD
6
VCC
VSS
NC
数据输入/输出
地址输入
列地址选通
行地址选通
写使能
设备检测
5V电源
地
无连接
引脚分配
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
符号
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VCC
PD0
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
针＃
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
符号
NC
NC
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
A7
NC
VCC
A8
A9
NC
RAS2
DQ15
NC
针＃
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
符号
DQ16
DQ17
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
NC
NC
WE
NC
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
针＃
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
NC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ28
DQ27
VCC
DQ29
DQ30
DQ31
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
VSS
模块选项
无铅SODIM ： AK5321024N
设备检测 -
ACCESS
时间
PD
0
-60
NC
-70
NC
PD
1
VSS
VSS
PD
2
VSS
VSS
PD
3
NC
NC
PD
4
NC
VSS
PD
5
NC
NC
PD
6
NC
NC
ACCUTEK [ ACCUTEK MICROCIRCUIT CORPORATION ]
