微型电路股份有限公司
描述
该Accutek AK532256AW高密度存储器模块是
CMOS动态RAM举办了265K ×32位字。该模块
由两个标准的256K ×16位在塑料SOJ封装的DRAM
老少皆宜。该组件具有2的DRAM安装在一个前侧
印刷电路板在72垫无引线的SIM结构。
这种配置允许插座安装的大量
存储器中的应用，其中高密度且易于插入AD-的
ditional存储器是很重要的。
该AK532256AW的操作等同于8 256K ×4的
德拉姆。有四个CAS号线和2的RAS线。对每家银行
的256K ×32的，独立的控制字节由四个CAS完成
线。每个独立的CAS号线控制的256K ×16个字节
DRAM 。
Accutek
AK532256AW
262,144字由32位CMOS
动态随机存取存储器
+
+
1
72
特点
·
262,144 ×32位的组织
·
72垫单列直插模块
·
CAS先于RAS ， RAS-只或隐藏刷新
·
经营自由的空气温度0 ℃〜70℃
·
单5伏电源
·
1024刷新周期， 16毫秒
·
可在快页模式
·
功率： 2.090瓦最大活动（ 50纳秒）
1.870瓦特最大活动（ 60 NS）
1.760瓦特最大活动（ 70 NS）
22毫瓦最大待机
o
o
·
可在快页模式或EDO
·
向上与AK532512W ， AK5321024W兼容，
AK5322048W ， AK5324096W和AK5328192W
其他选项可用
·
256K ×36的版本， AK536256W
·
512K ×32的版本， AK532512W
·
512K ×36的版本， AK536512W
PIN NOMENCLATURE
DQ
0
- DQ
31
A
0
- A
8
CAS
0
- CAS
3
RAS
0
， RAS
2
WE
PD
1
- PD
4
VCC
VSS
NC
数据输入/输出
地址输入
列地址选通
行地址选通
写使能
设备检测
5V电源
地
无连接
引脚分配
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
符号
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DDQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
针＃
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
符号
NC
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC
VCC
A8
NC
NC
RAS2
NC
NC
针＃
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
符号
NC
NC
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
NC
NC
WE
NC
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
针＃
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
模块选项
无铅SIM卡： AK532256AW
含铅邮编： AK532256AZ
设备检测 -
PD1
PD2
PD3
PD4
-60
VSS
NC
NC
NC
-70
VSS
NC
VSS
NC
-80
VSS
NC
NC
VSS
ACCUTEK [ ACCUTEK MICROCIRCUIT CORPORATION ]
