微型电路股份有限公司
描述
该Accutek AK5324096W高密度存储器模块是
CMOS动态RAM组织4096K ×32位字。该MOD-
ULE由八个标准4梅格×4的DRAM塑料SOJ封装
年龄安装在印刷电路板的同一个前表面
只有0.875"在72引脚无引线SIM卡的配置低姿态高
化。这种配置允许插座的安装产生的大量
的存储器中的应用，其中高密度且易于插入的
额外存储器是很重要的。
该AK5324096W的操作是相同的8个4兆×4
德拉姆。有四个CAS号线和2的RAS线。独立
字节的控制是通过4 CAS号线来实现的。每个独立的CAS
行控制两个4梅格×4的DRAM ，形成一个8位字节。该
32比特组是由两个RAS线控制的。一个16位数据
路径可以通过连接DQ来制造
0
到DQ
16
， DQ
1
到DQ
17
,
等交替选通RAS
0
与RAS
2
.
Accutek
AK5324096W
4194304字由32位CMOS
动态随机存取存储器
+
+
1
72
特点
4,194,304 ×32位的组织
0.875英寸的薄型板的高度
72垫单列直插模块
多个CAS和RAS线允许X16或X32位宽
动力
5.28瓦最大活动（为60ns ）
4.40瓦最大活动（ 70 NS）
44毫瓦最大待机
·
CAS先于RAS ， RAS-只或隐藏刷新
·
单5伏电源
·
·
·
·
·
·
·
·
·
2048刷新周期， 32毫秒
可在快速页模式和EDO
可提供无铅SIM卡或含铅邮编版本
向下与AK5322048W ， AK5321024W兼容，
AK532512W和AK536256W
·
与AK5328192W ， AK53216384和向上兼容
AK53232768
·
工作自由的空气温度0
0
C至70
0
C
其他选项可用
4梅格×32版本，使用4K刷新德拉姆， AK5324096W4K
PIN NOMENCLATURE
A
0
- A
10
DQ
0
- DQ
31
CAS
0
- CAS
3
RAS
0
， RAS
2
WE
OE
PD
1
- PD
4
VCC
VSS
NC
地址输入
数据输入/公司
列地址选通
行地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
设备检测
5V电源
地
无连接
引脚分配
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
符号
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
针＃
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
符号
A10
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC
VCC
A8
A9
NC
RAS2
NC
NC
针＃
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
符号
NC
NC
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
NC
NC
WE
NC
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
针＃
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
模块选项
无铅SIM卡： AK5324096W
含铅邮编： AK5324096Z
设备检测 -
PD1
PD2
PD3
PD4
-60
VSS
NC
NC
NC
-70
VSS
NC
VSS
NC
ACCUTEK [ ACCUTEK MICROCIRCUIT CORPORATION ]
