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AK594096BGP-70 参数 Datasheet PDF下载

AK594096BGP-70图片预览
型号: AK594096BGP-70
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内容描述: 4194304字由9位CMOS动态随机存取存储器 [4,194,304 Word by 9 Bit CMOS Dynamic Random Access Memory]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 2 页 / 79 K
品牌: ACCUTEK [ ACCUTEK MICROCIRCUIT CORPORATION ]
 浏览型号AK594096BGP-70的Datasheet PDF文件第2页  
Accutek
微型电路
公司
描述
该Accutek AK594096高密度存储器模块是CMOS
组织了4个随机存取存储器梅格×9位字。 AS-的
sembly由两个4兆×4和1 4梅格×1的DRAM ,
安装在印刷电路板的前侧30衬垫SIM卡
( LEA DL ES S)或SIP 30 P (LE广告ED )共同NF IG乌尔一个TI的Wi日
JEDEC标准的引脚排列。特别是对于低高度设计的应用程序
阳离子如VME总线板,这种低调模块是0.550
寸高。
该操作等同于9 4梅格×1的DRAM 。对于下
8位数据输入连接到数据输出,并带出另行
得非常好每个比特,与普通
RAS
CAS
控制权。这个化合物
周一的I / O功能要求使用的早期写周期,以防止
争在数据和数据出来。由于写使能(WE )I
信号必须始终走前低
CAS
在一个写周期中,读 - 写
和读 - 修改 - 写操作是不可能的。第九位,
DATA IN (D
9
)和数据输出(Q
9
)引脚带来了我们分开和
通过该位单独PCAS控制。
AK594096BS / AK594096BG
4194304字由9位CMOS
动态随机存取存储器
前视图
30引脚SIM卡
+
+
30引脚SIP
+
+
1
特点
·
4,194,304 ×9位组织
·
薄型30片( SIM )单列直插式内存
·
薄型30脚( SIP )单列直插式封装
·
JEDEC标准引脚
·
常见
CAS , RAS
和WE为低8位
·
CAS先于RAS
刷新
·
刷新周期2048个周期32毫秒
·
动力
1.450瓦特最大活动, 70纳秒
1.610瓦特最大活动, 60纳秒
16.5 mWatt最大砂姜
·
工作自由的空气温度0
0
C至70
0
C
·
与AK591024和AK59256向下兼容
·
与AK5916384向上兼容
·
快速页模式和静态列模式版本,
半字节模式是不可能的
PIN NOMENCLATURE
A
0
- A
10
RAS
0
CAS
WE
OE
DQ
1
- DQ
8
D
9
Q
9
VCC
VSS
NC
地址输入
引脚分配
1
VCC
CAS
DQ1
A0
A1
DQ2
A2
A3
VSS
DQ3
A4
A5
DQ4
A6
A7
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
DQ5
A8
A9
A10
DQ6
WE
VSS
DQ7
NC
DQ8
NC
RAS
0
NC
NC
VCC
工作原理图
A
0
- A
10
+
RAS +
CAS +
WE +
DQ1 +
DQ2 +
DQ3 +
DQ4 +
11
*
*
*
*
*
*
*
A
0
- A
10
RAS
CAS
WE
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
DATA IN
数据输出
5V电源
无连接
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
OE
*
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
+
+
+
+
A
0
- A
9
* RAS
* CAS
*我们
* DQ1
* DQ2
* DQ3
* DQ4
OE
*
模块选项
无铅SIM卡: AK594096BS
含铅SIP : AK594096BG
PCAS +
A
0
- A
11
* RAS
* CAS
*我们
D9 +
Q9 +
*D
Q *