描述
Accutek
微型电路
公司
AK681024G
1048579 ×8位CMOS
静态随机存取存储器
该Accutek AK681024G是一个高密度SRAM存储器模块
组织了1兆×8位字。该组件由四个我 -
dium速度128K ×8 SRAM的薄TSOP封装，再加上CMOS
译码器逻辑集成电路和四个耦电容器芯片，安装在
的前侧和4中速128K ×8 SRAMS在薄
TSOP封装和4去耦电容器芯片，安装在
低轮廓的印刷电路板的背面侧。该模块CON-
成形是一个36针引线SIP 。
的存储器操作为单个异步1兆欧×8的SRAM
从一个5V电源，并且通用I / O ，芯片使能，输出使能
和写使能的功能。与静态存储器的适当的选择，它
有三种不同的低待机功耗的配置，
55 ，70， 85或100纳秒的存取时间。
低功耗，低轮廓，高密度的结合packag-
ING提供的AK681024G使得它非常适合于应用
其中，电路板空间和可用功率有限，极
低存取时间是不需要的。它是在VME总线特别有用
设计和在地方非常接近模块到模块的间距
被决定。
1
36
·
的存取时间范围从55到100纳秒
·
低，低，低和超低待机功率级版本可用
ABLE
·
单5伏电源 - AK681024G
·
单3.3伏电源 - AK681024G / 3.3
·
工作自由空气1.5v1号0
0
C至70
0
C（工业温度范围
版-10
0
C至85
0
C也可以用）
·
完全静态和异步，无时钟或定时选通
需要
·
低
9.0瓦的最大活动
120 μ瓦特最大待机
低低
9.0瓦的最大活动
80 μ瓦特待机
特点
·
1,048,576 ×8位的组织
·
JEDEC标准的36引脚SIP格式
·
通用I / O ，单OE ， CE和WE功能
·
低0.550英寸最高层次的高度和超薄允许
最大板密度
PIN NOMENCLATURE
DQ
0
- DQ
7
A
0
- A
19
CE
WE
OE
VCC
VSS
NC
数据输入/输出
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
5V电源
地
无连接
引脚分配
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
针＃
符号
工作原理图
CE
A
15
A
16
A
12
A
18
A
6
DQ
1
VSS
A
0
28
29
30
31
32
33
34
35
36
A
7
A
8
A
9
DQ
7
DQ
4
DQ
6
A
17
VCC
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
NC
VCC
WE
DQ
2
DQ
3
DQ
0
A
1
A
2
A
3
10
11
12
13
14
15
16
17
18
A
4
VSS
DQ
5
A
10
A
11
A
5
A
13
A
14
A
19
19
20
21
22
23
24
25
26
27
128K ×8 SRAM
128K ×8 SRAM
128K ×8 SRAM
128K ×8 SRAM
128K ×8 SRAM
128K ×8 SRAM
128K ×8 SRAM
128K ×8 SRAM
含铅SIP ： AK681024G
解码器
A19
A18
A17
CE
OE
WE
A
0
- A
16
DQ
0
- DQ
7
模块选项
ACCUTEK [ ACCUTEK MICROCIRCUIT CORPORATION ]
