微型电路股份有限公司
描述
该Accutek AK68512D -1C高密度存储器模块是一个静态
组织在512K ×8位字的随机存取存储器。 AS-的
sembly由一个中速512K ×8 SRAM的TSOP
封装。该模块在一个600英寸宽, 32引脚DIP供给(双
直插式封装)的配置。该引脚排列完全是compati-
竹叶提取与行业标准的单芯片设计。这些模块是
旨在用于应用有限的电路板空间使然
紧凑的模块设计。
该AK68512D的操作等同于标准的单片8
位字宽的SRAM 。
该AK68512D提供低功率和中速的特点
通过使用CMOS器件,使高密度安装可能
没有表面贴装技术。
Accutek
AK68512D
524,288 ×8位CMOS
静态随机存取存储器
特点
·
524,288 ×8位的组织
·
快速存取时间: 55 - 70纳秒
·
完全静态RAM ,不需要时钟或定时选通
·
输入和输出TTL兼容
·
传统的600英寸宽的SIP封装产业
兼容的引脚排列
·
单5伏电源 - AK68512D -1C
·
单3.3伏电源 - AK68512D -1C / 3.3
·
工作自由的空气温度0
0
70
0
C
电气规格
时序图和基本电气特性是那些
标准的512K ×8的SRAM用于构建这些模块。
Accutek的模块化设计允许选择行业的灵活性
尝试兼容的512K ×8的SRAM的任一数目的semicon-
导体制造商。
PIN NOMENCLATURE
DQ
1
- DQ
8
A
0
- A
18
CE
WE
VCC
VSS
OE
数据输入/输出
联系地址输入
芯片使能
写使能
5V电源
地
OUTPUT ENABLE
引脚分配
工作原理图
定时选项
55纳秒访问时间
70纳秒访问时间
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
VSS
0.22uF电容
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4