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    ACE1543B 参数 Datasheet PDF下载

    ACE1543B图片预览
    型号： ACE1543B
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    内容描述： P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 810 K
    品牌： ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
     浏览型号ACE1543B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ACE1543B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ACE1543B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ACE1543B的Datasheet PDF文件第5页  
    ACE1543B
    P沟道增强型场效应晶体管
    描述
    这种P沟道增强型功率场效应管是采用高细胞密度， DMOS沟
    技术，该技术特别适用于减小导通电阻。这种装置特别适用于
    低电压应用，如便携式设备，电源管理和其它电池供电
    电路和低线的功率损耗，需要在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
    特点
    V
    DS
    (V) =-30V
    I
    D
    =-4.5A
    R
    DS （ ON）
    = 68mΩ @ V
    GS
    =-10V
    R
    DS （ ON）
    = 83mΩ @ V
    GS
    =-4.5V
    高密度电池设计低R
    DS （ ON）
    绝对最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流*交流
    漏电流脉冲* B
    功耗
    T
    A
    =25℃
    T
    A
    =25℃
    T
    A
    =70℃
    符号最大单位
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    -30
    ±20
    -4.5
    -3.6
    -20
    2
    V
    V
    A
    A
    W
    O
    工作结温/储存温度范围T
    J
    /T
    英镑
    -55/150
    C
    包装类型
    SOT-223
    1.2版本
    1

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