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    ACE1551B 参数 Datasheet PDF下载

    ACE1551B图片预览
    型号： ACE1551B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 669 K
    品牌： ACE [ ACE TECHNOLOGY CO., LTD. ]
     浏览型号ACE1551B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ACE1551B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ACE1551B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ACE1551B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ACE1551B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ACE1551B的Datasheet PDF文件第7页  
    ACE1551B
    N沟道增强型网络场效晶体管
    描述
    该ACE1551B结合了先进的沟槽MOSFET技术，具有低电阻包
    提供这器件非常适用于电源供应器电路和负载/电源开关手机，
    寻呼机。
    特点
    V
    DS
    =20V
    I
    D
    =0.7A
    R
    DS （ ON）
    <360mΩ （V
    GS
    =4.5V)
    R
    DS （ ON）
    <420mΩ （V
    GS
    =2.5V)
    R
    DS （ ON）
    <560mΩ （V
    GS
    =1.8V)
    绝对最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流*交流
    漏电流脉冲* B
    功耗
    T
    A
    =25℃
    T
    A
    =70℃
    T
    A
    =25℃
    T
    A
    =70℃
    符号最大单位
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    20
    ±12
    700
    560
    1
    0.27
    0.16
    V
    V
    mA
    A
    W
    O
    工作结温/储存温度范围T
    J
    /T
    英镑
    -55/150
    C
    包装类型
    SOT-723
    1.2版本
    1

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